性别：

男

学历学位：

研究生/博士

职称：

教授

ss_zhangchw@ujn.edu.cn

岗位荣誉称号：

泰山学者特聘专家

（一）个人简介：

教授，博士生导师。山东省泰山学者特聘专家，山东省优秀硕士论文导师，英国威廉希尔公司龙山学者特聘专家，《纳米自旋电子学》科研团队学科带头人，山东省研究生优质课程《凝聚态物理》负责人。主要从事自旋电子、物理材料与器件的研究工作，在磁性调控，光电效应，以及拓扑绝缘体等方面取得重要成果。发表130余篇SCI论文，被引用检索2500余次，ESI高被引论文11篇，相关研究成果被写入学术专著。主持国家自然科学基金等项目10余项。担任国际著名期刊<<Nano. Lett. >>、<<Appl.   Phys. Lett.>>, <<Phys. Rev. B>>等审稿人，教育部学位与研究生教育发展中心通讯评议专家。 2018年获山东省科学技术二等奖。

个人网址：http://www.nanospindevices.com  

（二）研究领域：

[1] 自旋电子、物理材料与器件。

[2] 强关联材料与器件。

[3] 二维量子拓扑材料与器件。

[4] 新型光电器件设计及开发。

（三）承担科研项目：

[1] 泰山学者人才工程计划（ts20190939），2020.01-2024.12，泰山学者特聘专家，200万。

[2] 山东省自然科学基金（ZR2018MA033）“二维拓扑绝缘体材料生长机理及量子性质调控研究”   2018.03-2021.06，项目负责人，15万。

[3] 国家自然科学基金重点项目（11434006）“电场调控氧化物磁性异质结的记忆电阻、磁电阻和交换偏置“；2015.1－2019.12，骨干，360万。

[4] 国家自然科学基金面上项目（11274143）“平面构型Si基纳米材料的自旋极化及电子输运性质研究“ ；2013.1－2016.12，项目负责人，86万。

[5] 国家自然科学基金面上项目（61076088）“缺陷对SnO₂低维纳米材料的磁性影响机理研究”；2011.1－2013.12，项目负责人，32万。

[6] 山东省高等学校科技计划项目（J10LA16）“缺陷对SnO₂低维纳米材料的磁性影响机理研究”； 2011,1－2013,12，项目负责人，4.5 万。

[7] 山东省优秀中青年科学家奖励基金（BS2009CL012）“SnO₂基稀磁半导体的铁磁性及居里温度调控机理研究”；2009,12－2012,12，项目负责人，7.0万。

[8] 国家自然科学基金专项基金（10847134）“SnO₂基稀磁半导体的磁性起源及其机理研究”; 2009.1－2009.12，项目负责人，2.0万。

（四） 科研奖励及荣誉：

[1] 2019年，山东省泰山学者特聘专家。

[2] 2018年，“二维拓扑绝缘体材料设计及量子性能调控”，山东省科学技术奖二等奖（首位完成人）。

[3] 2017：山东省优秀硕士论文“二维量子拓扑材料与器件设计”（张闰午）。
  [4]   2016：山东省优秀硕士论文 “硅基纳米材料设计及其量子性质调控”（李胜世）。
  [5]   2014：山东省优秀硕士论文“类石墨烯纳米材料的电子结构及磁性”（郑福宝）。

（五）代表性论文：

[1] Two-dimensional   honeycomb-kagome Ta₂S₃: a promising single-spin Dirac   fermion and quantum anomalous hall insulator with half-metallic edge   states, L. Zhang, C. W. Zhang, S. F. Zhang, W. X. Ji, P. Li and P. J.   Wang, Nanoscale, 11, 4637 (2019).

[2] Robust half-metallicity   in transition metal tribromide nanowires，S.S. Li,   Y.P. Wang,   S. J. Hu,     D.Chen,   C.W. Zhang   and   S. S. Yan, Nanoscale,   2018,10, 15545-15552.

[3] Nontrivial topology   and topological phase transition in two-dimensional monolayer Tl, Zhang,   Wei-xiao Ji, Chang-wen Zhang, and Pei-ji Wang, Phys.Chem. Chem. Phys.,   20, 24790 (2018).

[4] Intrinsic Dirac   Half-Metal and Quantum Anomalous Hall Phase in Hexagonal Metal-Oxide Lattice, S.   J. Zhang, C. W. Zhang , S. F. Zhang, W. X. Ji, P. Li, P. J. Wang, S. S. Li,   and S. S. Yan, Phys. Rev. B 96, 205433 (2017).

[5] Effect of   Amidogen Functionalization on Quantum Spin Hall Effect in 2D Bi/Sb(111)   Films, S. S. Li, W. X. Ji, S. J. Hu, C. W. Zhang, and S. S. Yan, ACS   Appl. Mater. Inter., 9, 41443 (2017).

[6] First-principles   prediction on bismuthylene monolayer as a promising quantum   spin   Hall insulator, R. W. Zhang, C. W. Zhang, W. X. Ji, S. S. Yan and Y. G.   Yao, Nanoscale, 9, 8207 (2017).

[7] Tunability of the   Quantum Spin Hall Effect in Bi(110) Films: Effects of Electric Field and   Strain Engineering, S. S. Li, W. X. Ji, P. Li, S. J. Hu, L. Cai, C. W.   Zhang, and S. S. Yan, ACS Appl. Inte 9, 21515 (2017).

[8] Emergence of   ferrimagnetic half-metallicity in two-dimensional MXene   Mo3N2F2, Sheng-shi Li, Shu-jun Hu, Wei-xiao Ji, Ping Li, Kun Zhang,   Chang-wen Zhang, and Shi-shen Yan, Appl. Phys. Lett., 111, 202405   (2017).

[9] Discovery of   Intrinsic Quantum Anomalous Hall Effect in Two-dimensional Mn-DCA   Lattice, Y. P. Wang, W. X. Ji, C. W. Zhang, and K. Liang, Appl. Phys.   Lett., 110, 233107 (2017)

[10] Two-Dimensional   Arsenene Oxide: A Realistic Large-gap Quantum Spin Hall Insulator, Y. P.   Wang, W. X. Ji, C. W. Zhang, P. Li, S. F. Zhang, P. J. Wang, S. S. Li, and S.   S. Yan, Appl. Phys. Lett., 110, 213101 (2017).

[11] Large-gap   Quantum Spin Hall State in Functionalized Dumbbell Stanene, Ya-ping   Wang, Chang-wen Zhang, Wei-Xiao Ji, Ping Li, Pei-ji Wang, Sheng-shi   Li, Shi-Shen Yan, Appl. Phys. Lett., 108,073104 (2016).

[12] First-principles   study on ferromagnetism in Mg-doped SnO_2, C. W. Zhang   and S. S. Yan, App. Phys. Lett. 95, 232108 (2009).